ویژگی HBM2E (Flashbolt) HBM3E (Shinebolt) HBM4
سال معرفی ۲۰۱۹ ۲۰۲۳ ۲۰۲۵ (نمونه اولیه)
نسل فناوری نسل دوم (بهبودیافته) نسل سوم (بهبودیافته) نسل چهارم
حداکثر پهنای باند (Per Pin) ۳.۲ گیگابیت بر ثانیه (Gbps) تا ۹.۸ گیگابیت بر ثانیه (Gbps) بیش از ۱۰ گیگابیت بر ثانیه (تخمینی)
رابط باس (Bus Interface) ۱۰۲۴ بیت ۱۰۲۴ بیت ۲۰۴۸ بیت
پهنای باند کل (Per Stack) ۴۱۰ گیگابایت بر ثانیه (GB/s) ۱.۲۲۵ ترابایت بر ثانیه (TB/s) بیش از ۱.۵ ترابایت بر ثانیه (TB/s) (تخمینی)
حداکثر ظرفیت (Per Stack) ۱۶ گیگابایت (GB) با ۸ پشته ۳۶ گیگابایت (GB) با ۱۲ پشته تا ۶۴ گیگابایت (GB) با ۱۶ پشته (پیش‌بینی شده)
فرآیند ساخت نامشخص (احتمالاً کلاس 1y/1z) مبتنی بر 1a (نسل چهارم ۱۰ نانومتری) مبتنی بر 1c (نسل ششم ۱۰ نانومتری)
کاربرد اصلی سرورهای HPC، نسل قبلی AI شتاب‌دهنده‌های فعلی AI (Nvidia Blackwell) شتاب‌دهنده‌های نسل آینده AI (Nvidia Rubin)